特許

J-GLOBAL ID：201203077351192945

レジスト膜、該レジスト膜を用いたレジスト塗布マスクブランクス及びレジストパターン形成方法、並びに、化学増幅型レジスト組成物

発明者： 土村 智孝 ,  稲崎 毅 ,  滝沢 裕雄
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-035229
公開番号（公開出願番号）：特開2012-173505
出願日： 2011年02月21日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス(LER))、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるレジスト膜、該レジスト膜を用いたレジスト塗布マスクブランクス及びレジストパターン形成方法、並びに、化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(I)で表される基により、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び有機溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜であって、膜厚が10〜200nmであるレジスト膜。(式中、R1は、炭化水素基を表す。R2は、水素原子又は炭化水素基を表す。Arは、アリール基を表す。R1は、Arと結合して、ヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成していてもよい。*は前記フェノール性水酸基の酸素原子との結合位置を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で表される基により、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び有機溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜であって、膜厚が10〜200nmであるレジスト膜。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 12/32

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  C08F12/32

Fターム (80件)：

2H125AE03P ,  2H125AE04P ,  2H125AE05P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH08 ,  2H125AH14 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH25 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42X ,  2H125AJ43X ,  2H125AJ45X ,  2H125AJ47X ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ65Y ,  2H125AL02 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM12P ,  2H125AM15P ,  2H125AM16P ,  2H125AM66P ,  2H125AN08P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN63P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CC17 ,  2H125CD01P ,  2H125CD09P ,  2H125CD20P ,  2H125CD31 ,  2H125CD35 ,  2H125CD37 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA05P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA22P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC43Q ,  4J100BC49Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA05 ,  4J100FA03 ,  4J100FA28 ,  4J100FA30 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (5件)

• レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-245328   出願人：富士フイルム株式会社
• ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-336124   出願人：信越化学工業株式会社
• アニオン重合又は制御ラジカル重合によるヒドロキシ-ビニル芳香族ポリマー又はコポリマーの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-551039   出願人：チバスペシャルティケミカルズホールディングインコーポレーテッド
• ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-048993   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-048984   出願人：信越化学工業株式会社