特許
J-GLOBAL ID：201203078476077737

半導体装置

発明者：
吉田 秀穂

吉田 秀穂 について

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花村 昭宏

花村 昭宏 について

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下村 卓

下村 卓 について

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塚本 雅裕

塚本 雅裕 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (5件)： 後藤 政喜 ,  藤井 正弘 ,  三田 康成 ,  飯田 雅昭 ,  村瀬 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-129778
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258632
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】半導体素子の劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置40は、正極41及び負極42と、正極41と負極42の間に配置される出力電極43と、正極41と出力電極43を接続する正側スイッチング素子51と、正極41と出力電極43を接続し、正側スイッチング素子51とは電流を逆方向に流す正側ダイオード52と、負極42と出力電極43を接続する負側スイッチング素子61と、負極42と出力電極43を接続し、負側スイッチング素子61とは電流を逆方向に流す負側ダイオード62と、を備える。正極41及び負極42の電極厚さは、出力電極43の電極厚さよりも薄く設定される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
正極及び負極と、 前記正極と前記負極の間に配置される出力電極と、 前記正極と前記出力電極を接続する正側スイッチング素子と、 前記正極と前記出力電極を接続し、前記正側スイッチング素子とは電流を逆方向に流す正側ダイオードと、 前記負極と前記出力電極を接続する負側スイッチング素子と、 前記負極と前記出力電極を接続し、前記負側スイッチング素子とは電流を逆方向に流す負側ダイオードと、を備え、 前記正極及び前記負極の電極厚さは、前記出力電極の電極厚さよりも薄く設定される半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H03K 19/00 ,  H03K 19/08 ,  H01L 23/473
FI (4件)：
H01L25/04 C ,  H03K19/00 C ,  H03K19/08 Z ,  H01L23/46 Z
Fターム (23件)：
5F136CB08 ,  5F136DA27 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5H007AA06 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DB01 ,  5H007EA02 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA05 ,  5J056AA05 ,  5J056BB00 ,  5J056DD01 ,  5J056DD51 ,  5J056DD55 ,  5J056EE05 ,  5J056FF07 ,  5J056GG07 ,  5J056KK02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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