特許
J-GLOBAL ID：201203081653119675
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-036273
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174927
出願日： 2011年02月22日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：
【課題】放熱性、応力緩和性、及び接合強度を両立することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】支持基材11と、接合材16により支持基材11に接合された半導体素子15と、が含まれている。接合材16には、支持基材11及び半導体素子15と接触する多孔質金属材16aと、多孔質金属材16aの空隙16bの少なくとも一部に充填されたはんだと、が含まれている。前記半導体装置等によれば、多孔質金属材16aにより良好な放熱性及び応力緩和性を得ることができ、はんだ16cにより良好な接合強度を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基材と、
接合材により前記支持基材に接合された半導体素子と、
を有し、
前記接合材は、
前記支持基材及び前記半導体素子と接触する多孔質金属材と、
前記多孔質金属材の空隙の少なくとも一部に充填されたはんだと、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DB02
, 4M109DB17
, 4M109EA11
, 4M109EE02
