特許
J-GLOBAL ID:201203084291260594

半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-275348
公開番号(公開出願番号):特開2012-146963
出願日: 2011年12月16日
公開日(公表日): 2012年08月02日
要約:
【課題】薄型化可能であるとともに、半導体チップを被覆するように形成される樹脂部の表面平坦性に優れた半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージを提供することを課題とする。【解決手段】本半導体パッケージの製造方法は、第1の支持層が第2の支持層上に積層されてなる支持体の、前記第1の支持層に開口部を形成し、前記開口部内に前記第2の支持層を露出させる第1工程と、前記開口部内に露出している前記第2の支持層上に、半導体チップを配置する第2工程と、前記第1の支持層上に、前記半導体チップを被覆する樹脂部を形成する第3工程と、前記樹脂部上に、前記半導体チップと電気的に接続する配線構造を形成する第4工程と、を有する。【選択図】図19
請求項(抜粋):
第1の支持層が第2の支持層上に積層されてなる支持体の、前記第1の支持層に開口部を形成し、前記開口部内に前記第2の支持層を露出させる第1工程と、 前記開口部内に露出している前記第2の支持層上に、半導体チップを配置する第2工程と、 前記第1の支持層上に、前記半導体チップを被覆する樹脂部を形成する第3工程と、 前記樹脂部上に、前記半導体チップと電気的に接続する配線構造を形成する第4工程と、 を有する半導体パッケージの製造方法。
IPC (1件):
H01L 23/12
FI (2件):
H01L23/12 L ,  H01L23/12 501P
引用特許:
審査官引用 (7件)
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