特許
J-GLOBAL ID：200903071531033426

半導体装置、その製造方法及び電子機器

発明者：
小林 寛隆

小林 寛隆 について

, 
小山 寿樹

小山 寿樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-054075
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261190
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 C SP(チップサイズパッケージ)或いはBGA(ボールグリッドアレイ)タイプの半導体装置の微細ボール電極の搭載を可能にし、電極形成孔の小径化、配線膜のファインパターン化、外形精度の高精度化、製造の容易化を図る。【解決手段】 絶縁性樹脂からなるベース5の一方の表面部に複数の配線膜4を該膜表面が該ベース表面と同一平面上に位置し少なくとも一部の配線膜が上記ベースの電極形成孔8と重なるように形成し、各電極形成孔8を導電性材料で埋めてその反配線膜側面に突出する外部電極6を形成し、ベース5の上記一方の表面上に半導体素子14をフリップチップ接続する。
請求項（抜粋）：
配線膜の一方の表面が絶縁性樹脂の一方の表面と同一平面上に位置するように該絶縁性樹脂の上記一方の表面部に埋め込まれ、該絶縁性樹脂の上記配線膜の少なくとも一部と重なりあう位置に孔が形成された配線基板と、外部引き出し電極の少なくとも一部がバンプを介して上記配線基板の配線膜に接続された半導体素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 23/12 501 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 Q
Fターム (7件)：
5F044KK03 ,  5F044KK09 ,  5F044LL09 ,  5F044MM03 ,  5F044MM48 ,  5F044NN05 ,  5F044RR18
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM