発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-155362
公開番号（公開出願番号）：特開2012-019062
出願日： 2010年07月08日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：

【解決手段】発光半導体素子用リフレクターに収容された発光半導体素子の電極がリードの電極にフリップチップ方式で接続され、素子とリードフレームとの間隙部がアンダーフィル材で充填硬化されていると共に、上記発光半導体素子及びリフレクターの表面を覆って0.05〜10μm厚さの酸化ケイ素硬化被膜が形成されてなることを特徴とする発光半導体装置。【効果】本発明によれば、ガス透過性を大幅に改善することでリフレクターの反射率低下を防止し、腐食性ガスの侵入による腐食を防止することができ、これにより長期の信頼性を確保した発光半導体装置を提供することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

発光半導体素子用リフレクターに収容された発光半導体素子の電極がリードの電極にフリップチップ方式で接続され、素子とリードフレームとの間隙部がアンダーフィル材で充填硬化されていると共に、上記発光半導体素子及びリフレクターの表面を覆って0.05〜10μm厚さの酸化ケイ素硬化被膜が形成されてなることを特徴とする発光半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/56 , H01L 23/28 , H01L 21/56 , H01L 23/48

FI (4件)：

H01L33/00 424 , H01L23/28 D , H01L21/56 J , H01L23/48 Y

Fターム (20件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA04 , 4M109CA10 , 4M109EA06 , 4M109EA10 , 4M109EB12 , 4M109EC11 , 4M109FA05 , 4M109GA01 , 5F041AA44 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA17 , 5F041DA45 , 5F041DC26 , 5F041DC76 , 5F061AA01 , 5F061CA04 , 5F061FA01

引用特許：

審査官引用 (7件)

LED装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-150913 出願人：豊田合成株式会社
発光ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-285027 出願人：スタンレー電気株式会社
回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-250911 出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社

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