特許
J-GLOBAL ID：201203086976327147

光半導体装置の製造方法及び光半導体装置

発明者：
浦崎 直之

浦崎 直之 について

, 
小谷 勇人

小谷 勇人 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  平野 裕之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-238608
公開番号（公開出願番号）：特開2012-094587
出願日： 2010年10月25日
公開日（公表日）： 2012年05月17日
要約：
【課題】銀めっき層の変色を防止して高い反射率を保持することができると共に、生産性に優れた光半導体装置の製造方法及びその製造方法にて製造された光半導体素子を提供する。【解決手段】光半導体装置100の製造方法では、トランスファ成形によって配線部材10上に形成された薄膜50において、光半導体素子20が搭載される領域及びボンディングワイヤ18が接続される領域に該当する部分の薄膜50を除去する。これにより、光半導体素子20が搭載される領域及びボンディングワイヤ18が接続される領域に該当する部分の薄膜50のみが取り除かれるため、その他の部分の銀めっき層の変色を薄膜50にて防止でき、銀めっき層において高い反射率を保持することができる。また、金めっきを使用することがないため、コストの低減を図ることができ、光半導体装置100の生産性を優れたものとすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファ成形によって、貫通孔が複数形成された光反射層を銀めっき層が表面に形成された配線部材上に形成すると共に前記配線部材上に樹脂薄膜を形成し、前記貫通孔の一方の開口部を前記配線部材で塞いでなる複数の凹部が形成された成形体を得る工程と、 光半導体素子が搭載される領域及びボンディングワイヤが接続される領域に該当する部分の前記樹脂薄膜を除去する工程と、 複数の前記光半導体素子を前記凹部内にそれぞれ配置する工程と、 前記光反射層の表面を覆うように前記半導体素子が配置された前記凹部に封止樹脂を供給する工程と、 前記封止樹脂を硬化させる工程と、 前記成形体を前記凹部ごとに分割して複数の光半導体装置を得る工程と、を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/52
FI (1件)：
H01L33/00 420
Fターム (10件)：
5F041AA04 ,  5F041AA44 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA17 ,  5F041DA45 ,  5F041DA78 ,  5F041DA92
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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