特許

J-GLOBAL ID：201203094682925383

ホウ素及び窒素で置換されたグラフェン及びその製造方法、並びにそれを具備したトランジスタ

発明者： 李 晟熏 ,  徐 順愛 ,  禹 輪成 ,  鄭 現鍾 ,  許 鎭盛
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-133050
公開番号（公開出願番号）：特開2012-001431
出願日： 2011年06月15日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：

【課題】ホウ素及び窒素で置換されたグラフェン及びその製造方法、並びにそれを具備したトランジスタを提供する。【解決手段】ホウ素及び窒素が炭素原子の1-20%置換されるグラフェンである。該ボロン及び窒素で置換されたグラフェンは、ほぼ0.05-0.45eVのバンドギャップを有するので、電界効果トランジスタのチャネルとして使われうる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭素元素の一部がホウ素及び窒素で置換されてバンドギャップが形成されたグラフェン。

IPC (6件)：

C01B 31/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  B82B 1/00 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/05

FI (7件)：

C01B31/02 101Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618A ,  B82B1/00 ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/28 100A

Fターム (18件)：

4G146AA01 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146BC09 ,  4G146BC45 ,  4G146BC50 ,  4G146CA17 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置、半導体装置の製造方法およびトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-126441   出願人：富士通株式会社
• 半導体カーボン膜、半導体素子、及び半導体カーボン膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-014643   出願人：株式会社デンソー
• 光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-334641   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 炭素膜の製造方法及び被処理膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155461   出願人：北海道大学長
• ホウ素、炭素、窒素を主成分とする固体材料の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-009946   出願人：セントラル硝子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Atomic layers of hybridized boron nitride and graphene domains