フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-039713
公開番号（公開出願番号）：特開2012-181522
出願日： 2012年02月27日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

【課題】フォトスピード、限界寸法(critical demension;CD)均一性、ネガティブトーン現像剤(NTD)中での溶解速度、及び、パターン忠実度に優れた、フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の層を含むコーティングされた基体及びフォトリソグラフィパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】(A)式(I)、(II)および(III):の単位を含む第1のポリマー;(B)(メタ)アクリル酸C3〜C7アルキルホモポリマーもしくはコポリマーである第2のポリマー;並びに(B)光酸発生剤;を含むフォトレジスト組成物、及びフォトレジスト層の未露光領域が現像剤によって除去されて、フォトリソグラフィパターンを形成する方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)、(II)および(III):

IPC (6件)：

G03F 7/039 , G03F 7/038 , G03F 7/32 , G03F 7/004 , C08F 220/18 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , G03F7/32 , G03F7/004 501 , C08F220/18 , H01L21/30 502R

Fターム (48件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096FA01 , 2H096GA03 , 2H096HA01 , 2H096JA08 , 2H125AF17P , 2H125AF38P , 2H125AH15 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AJ14X , 2H125AJ59X , 2H125AJ65X , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AL03 , 2H125AL22 , 2H125AM23P , 2H125AN11P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN51P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC15 , 2H125FA03 , 2H125FA05 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA03R , 4J100BA15Q , 4J100BC03P , 4J100BC03S , 4J100BC09R , 4J100BC53Q , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100DA39 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (8件)

パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-105909 出願人：富士フイルム株式会社
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-087539 出願人：富士フイルム株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-049938 出願人：富士フイルム株式会社

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