特許
J-GLOBAL ID：201003082262087843

表示装置

発明者：
田中 政博

田中 政博 について


出願人/特許権者：
株式会社 日立ディスプレイズ

株式会社 日立ディスプレイズ について


代理人 (1件)： 小林 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-224351
公開番号（公開出願番号）：特開2010-060683
出願日： 2008年09月02日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】酸化物半導体トランジスタのオフ時のリーク電流を低減させた有機EL表示装置を提供することである。【解決手段】 電流に応じて発光するEL素子と、前記EL素子に駆動電圧を印加する第1トランジスタと、少なくとも1フレーム期間、前記第1トランジスタのゲート端子に所定の電圧を印加する容量素子と、選択信号に基づいて前記容量素子に画像信号を書き込む第2トランジスタとを少なくとも備える画素回路がマトリクス状に配置される表示装置であって、前記第1及び第2トランジスタはInGaZnOx系の酸化物半導体で形成され、前記第2トランジスタは同一半導体領域内に並設して形成される2本のゲート電極を備え、該2本のゲート電極に同じ選択信号が入力される表示装置である。【選択図】図18
請求項（抜粋）：
電流に応じて発光する発光素子と、 前記発光素子に駆動電圧を印加する第1トランジスタと、 少なくとも1フレーム期間、前記第1トランジスタのゲート端子に所定の電圧を印加する容量素子と、 選択信号に基づいて前記容量素子に画像信号を書き込む第2トランジスタと を少なくとも備える画素回路がマトリクス状に配置される表示装置であって、 前記第1及び第2トランジスタはInGaZnOx系の酸化物半導体で形成され、 前記第2トランジスタは同一半導体領域内に並設して形成される2本のゲート電極を備え、該2本のゲート電極に同じ選択信号が入力されることを特徴とする表示装置。
IPC (5件)：
G09F 9/30 ,  H01L 51/50 ,  H01L 27/32 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
G09F9/30 338 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 365Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 612Z
Fターム (52件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107DD03 ,  3K107EE04 ,  3K107FF04 ,  3K107HH05 ,  5C094AA03 ,  5C094AA25 ,  5C094AA53 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB19 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK04 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL07 ,  5F110HM02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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