CVD装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-120964
公開番号（公開出願番号）：特開2012-248764
出願日： 2011年05月30日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：

【課題】膜上に付着し又は膜中に埋没したSiCパーティクル等が低減されたSiCエピタキシャル膜を作製することができるCVD装置を提供する。【解決手段】本発明に係るCVD装置は、ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材と、を備えたことを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/44 J

Fターム (30件)：

4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030GA09 , 4K030JA03 , 4K030KA12 , 4K030KA23 , 4K030KA46 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045BB15 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EB06 , 5F045EK03

引用特許：

審査官引用 (5件)

気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-339182 出願人：パナソニック株式会社
炭化珪素半導体結晶膜形成装置および炭化珪素半導体結晶膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-115118 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
特開昭61-024228

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