特許
J-GLOBAL ID：201203099841708820

ドライエッチング装置及びドライエッチング方法

発明者：
高橋 秀治

高橋 秀治 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-134016
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258873
出願日： 2010年06月11日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】単一の電源及び単一のマッチングボックスにより、各被エッチング物の最適な周波数を用いてエッチングする。【解決手段】被エッチング材が載置されるステージを内部に有する真空容器と、前記真空容器内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成させるためのプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給するプラズマ生成用電源と、前記ステージの自己バイアス電位を制御するための単一のバイアス電源であって、出力周波数を変更可能なバイアス電源と、前記ステージと前記バイアス電源との間に電気的に接続された単一の整合器であって、前記バイアス電源の負荷と前記バイアス電源とのインピーダンス整合をとる整合器と、前記バイアス電源の出力周波数を設定する周波数設定手段と、前記バイアス電源の出力周波数に応じて前記整合器のインピーダンスを制御する制御手段とを備えたドライエッチング装置によって上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被エッチング材が載置されるステージを内部に有する真空容器と、 前記真空容器内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、 前記真空容器内にプラズマを生成させるためのプラズマ生成手段と、 前記プラズマ生成手段の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給するプラズマ生成用電源と、 前記ステージの自己バイアス電位を制御するための単一のバイアス電源であって、出力周波数を変更可能なバイアス電源と、 前記ステージと前記バイアス電源との間に電気的に接続された単一の整合器であって、前記バイアス電源の負荷と前記バイアス電源とのインピーダンス整合をとる整合器と、 前記バイアス電源の出力周波数を設定する周波数設定手段と、 前記設定されたバイアス電源の出力周波数に応じて前記整合器のインピーダンスを制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (8件)：
H01L 21/306 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H05H 1/46 ,  H05H 1/00
FI (10件)：
H01L21/302 101C ,  H01L21/302 101D ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 R ,  H05H1/00 A ,  H01L21/302 103
Fターム (24件)：
5F004AA03 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CB02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB13 ,  5F004EA28 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR03
引用特許：
審査官引用 (7件)
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