熱酸化しFe汚染したn型Si(001)表面上の強化 遅延 SiO<sub>2</sub>成長

SHIMIZU Hirofumi; HAGIWARA Hiroyuki

文献

J-GLOBAL ID：201302200619267765 整理番号：13A0833927

熱酸化しFe汚染したn型Si(001)表面上の強化遅延 SiO₂成長

Enhanced and Retarded SiO₂ Growth on Thermally Oxidized Fe-Contaminated n-Type Si(001) Surfaces

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資料名：
巻： 52 号： 4,Issue 1 ページ： 041302.1-041302.7 発行年： 2013年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Fe汚染したn型Si(001)表面の酸化の初めにFeを,シリコン(Si)基板上で,酸素(O₂)と化学反応しFe₂O₃と,酸素-誘導点欠陥(放出Si +空孔)を形成した。SiO₂成長は,主にFeの触媒作用によって強化した。650°Cで,汚染した試料のSiO₂成長は,RCA溶液で濯いだリファレンス試料より最初の60分間より速かった。しかし,成長はかなり遅くなり,リファレンス試料の成長以下となった。酸化が進むと,おおよそ,汚染Fe原子の半分はSiO₂薄膜層の表面エリアの近くに集中した。このFe₂O₃の豊富なSiO₂層は,酸素種に対して拡散バリアの働きをした。SiO₂/Siインタフェイスで,酸化-誘導したひずみが減少し,遅延酸化物成長となることによりSiO₂/Siインタフェイスの方への酸素原子の拡散,そして,その結果Si 自己-間隙放出は減じるかもしれない。これらの結果は,以前に提案したモデルと一致し,放出したSi 自己-間隙はFe₂O₃の豊富なSiO₂層において,酸化しないで,SiO₂/Siインタフェイスで酸化するという証拠である。界面のSi放出モデルに基づく可能なメカニズムを議論した。酸化物成長のための活性化エネルギーは, Fe-汚染試料の強化と減じた成長と一致することを見つけた。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (40件)：

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熱酸化しFe汚染したn型Si(001)表面上の強化 遅延 SiO2成長

熱酸化しFe汚染したn型Si(001)表面上の強化遅延 SiO₂成長