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J-GLOBAL ID：201302241018049378   整理番号：13A1937022

p-GaN表面の誘導結合プラズマエッチング損傷についての高温等温容量過渡分光法による研究

High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces

著者 (6件)： AOKI Toshichika (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  WAKAYAMA Hisashi (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KANEDA Naoki (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MISHIMA Tomoyoshi (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  NOMOTO Kazuki (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  SHIOJIMA Kenji (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 11,Issue 2  ページ： 11NH03.1-11NH03.4  発行年： 2013年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低Mgドープp型GaNSchottkyコンタクトの電気的特性に及ぼす誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷の影響を,高温等温容量過渡分光法により評価した。アクセプタ型表面状態の大きな単一ピークが主に成長直後の試料で検出された。エネルギー準位と状態密度は価電子帯の上の1.18eVにあり,それぞれGa空孔(V_Ga)に近く,1.5×10¹³cm^-2であった。僅かなGa原子が表面から欠落し,少数表面層内に高いV_Ga密度が観察されたと推測した。800°Cにアニーリングするとピーク強度は60%程減少し,ICPエッチングにより更に減少した。この減少は,電流-電圧特性におけるメモリー効果の抑制と一致する。アニーリングおよびICPエッチングにおいて,V_Gaの構造が乱れるので,ピーク強度が減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *深準位過渡分光法 ,  *高温 ,  *プラズマエッチング ,  *照射損傷 ,  誘導結合プラズマ ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  P型半導体 ,  *空孔欠陥 ,  電流電圧特性 ,  Schottky障壁 ,  状態密度 ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： *等温容量過渡分光法

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (32件)：

• J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2953.
• J. S. Jang, S. J. Park, and T. Y. Seong: J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 2667.
• Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami: J. Electron. Mater. 28 (1999) 341.
• T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3537.
• T. Sawada, Y. Ito, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki, and S. Sakai: Proc. Int. Workshop Nitride Semiconductors (IPAP, Tokyo, 2000) IPAP Conf. Ser. No. 1, p. 801.

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング ,  損傷 ,  等温容量過渡分光法 ,  研究