文献

J-GLOBAL ID：201302252832522337   整理番号：13A1292360

Cu(111)薄膜上の大型六角形グラフェン分域のエピタキシャル成長と電子的性質

Epitaxial Growth an dElectronic Properties of Large Hexagonal Graphene Domains on Cu(111) Thin Film

著者 (12件)： AGO Hiroki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KAWAHARA Kenji (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OGAWA Yui (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TANOUE Shota (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  BISSETT Mark A. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TSUJI Masaharu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SAKAGUCHI Hidetsugu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KOCH Roland J. (Technische Univ. Chemnitz, Chemnitz, DEU) ,  FROMM Felix (Technische Univ. Chemnitz, Chemnitz, DEU) ,  SEYLLER Thomas (Technische Univ. Chemnitz, Chemnitz, DEU) ,  KOMATSU Katsuyoshi (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 7  ページ： 075101.1-075101.4  発行年： 2013年07月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面サファイア上に堆積させたCu(111)薄膜上に単層グラフェンの大型六角形単結晶分域を雰囲気圧力の化学蒸着により成長させた。エピタキシャル成長により,最大100μmの六角形グラフェン分域が同一方向に配向した。高結晶度を反映して,角度分解光電子分光法によりDiracコーンを持つ明確なバンド構造が観測され,4000cm²V^-1s^-1の高いキャリア移動度が室温のSiO₂/Si上で得られた。大型分域成長と組合せたこのエピタキシャル法は次世代の電子応用に寄与すると期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *エピタクシー ,  金属薄膜 ,  銅 ,  化学蒸着 ,  分域 ,  *バンド構造 ,  キャリア移動度 ,  電子顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *単層グラフェン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (29件)：

• GEIM, A. K. Science. 2009, 324, 1530
• REINA, A. Nano Lett. 2009, 9, 30
• MIYATA, Y. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 263105
• AGO, H. ACS Nano. 2010, 4, 7407
• LI, X. Science. 2009, 324, 1312

タイトルに関連する用語 (9件)： Cu ,  薄膜 ,  大型 ,  角形 ,  グラフェン ,  分域 ,  エピタキシャル成長 ,  電子 ,  性質