文献

J-GLOBAL ID：201302257748329736   整理番号：13A1418843

有機金属気相エピタキシーによる半極性(20<span style=text-decoration:overline>2</span>1)及び(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN基板の選択領域成長

Selective Area Growth of Semipolar (20<span style=text-decoration:overline>2</span>1) and (20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>) GaN Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者 (6件)： JINNO Daiki (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MA Bei (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  ENATSU Yuuki (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  NAGAO Satoru (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JC06.1-08JC06.4  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタキシーにより,半極性(20<span style=text-decoration:overline>2</span>1)及び(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>),及び非極性並びに半極性(30<span style=text-decoration:overline>3</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)及び(10<span style=text-decoration:overline>1</span>0)GaN基板上のGaNの選択領域成長を実行した。SiO₂ストライプマスクの成長パラメータ及び方向を変えることによって,異なる基板上の成長の間のGaN構造の相違を調べた。ストライプ||a軸の場合,(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)及び(10<span style=text-decoration:overline>1</span>1)ファセットの異方性GaN構造が,全ての非及び半極性GaN基板に対し得られた。一方,ストライプ⊥a軸の場合,等方性GaN構造が,(20<span style=text-decoration:overline>2</span>1)及び(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN基板に対して得られた。しかしながら,それらの間のGaN構造は,全く異なっていた。120min成長後,{11<span style=text-decoration:overline>2</span>0}及び(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)ファセットが,それぞれ(20<span style=text-decoration:overline>2</span>1)及び(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN基板について顕著に拡大した。更に,成長温度の効果を追求することによって,ボイドを持つ連続(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN層の成長が実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  基板 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *表面構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  III-VI半導体 ,  ワイドギャップ半導体 ,  走査電子顕微鏡法 ,  *構造
準シソーラス用語： III-VI族半導体 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  走査電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (25件)：

• 1) S. Yamamoto, Y. Zhao, C. C. Pan, R. B. Chung, K. Fujito, J. Sonoda, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Appl. Phys. Express 3 (2010) 122102.
• 2) T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 413.
• 3) K. C. Kim, M. C. Schmidt, H. Sato, F. Wu, N. Fellows, M. Saito, K. Fujito,J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars: Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 1 (2007) 125.
• 4) H. Sato, R. B. Chung, H. Hirasawa, N. Fellows, H. Masui, F. Wu, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 221110.
• 5) A. Tyagi, H. Zhong, N. Fellows, M. Iza, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L129.

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属気相エピタキシー ,  半極性 ,  GaN ,  領域成長