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J-GLOBAL ID：201302263825516030   整理番号：13A1386779

微細電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こす欠陥機構の解明

Investigation of Trap Mechanisms Causing Random Telegraph Noise in Ultra-Scaled MOSFETs

著者 (3件)： CHEN Jiezhi (東芝) ,  平野泉 (東芝) ,  三谷祐一郎 (東芝)
資料名： 東芝レビュー  (Toshiba Review)
巻： 68  号： 8  ページ： 27-30  発行年： 2013年08月01日 
JST資料番号： F0360A  ISSN： 0372-0462  CODEN： TORBA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,トランジスタの微細化に伴って,ランダムテレグラフノイズ(RTN)と呼ばれるトランジスタの動作電流が揺らぐ現象が顕著になってきている。RTNはCMOS(相補型金属酸化膜半導体)イメージセンサやNAND型フラッシュメモリの性能,特に信頼性に影響を及ぼすことが懸念されている。東芝は,このRTNの起源を解明することで高信頼化技術の指針を得る取組みを進めている。今回,微細トランジスタを用いて,RTNを引き起こす原因となる絶縁膜中の欠陥として,ニュートラル欠陥とアトラクティブ欠陥と呼ばれる2種類の欠陥の寄与と,それぞれが及ぼす影響を実験により明らかにした。アトラクティブ欠陥に比べて,ニュートラル欠陥のエネルギー分布は約100meV高く,かつしきい値電圧のシフトに与える影響が大きいことがわかった。今後,これらの結果を,トランジスタの高信頼化やRTNの影響を抑えるプロセス指針の策定に役だてていく。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *雑音 ,  機構 ,  イメージセンサ ,  フラッシュメモリ ,  絶縁膜 ,  信頼性
準シソーラス用語： CMOSイメージセンサ ,  NANDフラッシュメモリ ,  *ランダムテレグラフノイズ ,  *欠陥機構 ,  高信頼性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (7件)：

• (1) Goiffon, V. et al. Evidence of a Novel Source of Random Telegraph Signal in CMOS Image Sensors. IEEE Electron Device Letters. 32, 6, 2011, p.773 - 775.
• (2) Realov, S. et al. "Random telegraph noise in 45-nm CMOS: Analysis using an on-chip test and measurement system". International Electron Devices Meeting 2010. San Francisco, CA, USA, 2010-12, IEEE. 2010, p.28.2.1 - 28.2.4.
• (3) Nagumo, T. et al. "Statistical characterization of trap position, energy, amplitude and time constants by RTN measurement of multiple individual traps". International Electron Devices Meeting 2010. San Francisco, CA, USA, 2010-12, IEEE. 2010, p.28.3.1 - 28.3.4.
• (4) Joe, S.-M. et al. Threshold Voltage Fluctuation by Random Telegraph Noise in Floating Gate nand Flash Memory String. IEEE Trans. Electron Devices 58, 1, 2011, p.67 - 73.
• (5) Kang, D. et al. 'A new approach of NAND flash cell trap analysis using RTN characteristics." 2011 Symposium on VLSI Technology. Honolulu, HI, USA, 2011-06, IEEE. 2011, p.206 - 207.

タイトルに関連する用語 (4件)： 微細 ,  電界効果トランジスタ ,  ランダムテレグラフノイズ ,  欠陥