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J-GLOBAL ID：201302269194084734   整理番号：13A0311975

非平衡大気圧N₂/O₂プラズマを使って蒸着したZnO膜の配向制御

Orientation Control of ZnO Films Deposited Using Nonequilibrium Atmospheric Pressure N₂/O₂ Plasma

著者 (6件)： NOSE Yukinori (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  NAKAMURA Tatsuru (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  YOSHIMURA Takeshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  ASHIDA Atsushi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  UEHARA Tsuyoshi (Sekisui Chemical Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  FUJIMURA Norifumi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 1,Issue 2  ページ： 01AC03.1-01AC03.3  発行年： 2013年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板温度が200°Cのガラス基板上へ酸化亜鉛(ZnO)膜の化学蒸着(CVD)に非平衡大気圧N₂/O₂プラズマを適用した。蒸着温度は非常に低いが,ZnO膜は(0001)優先配向を見せ,少量の(1011)面からの回折も含まれる。基板温度を上げずに,ZnO膜の(0001)優先配向を改善する試みを行った。系統的な実験の後,全ガス流量[O₂/(O₂+N₂)比]中の酸素流量比を調整することがZnO膜の配向制御に有効であることを見いだした。この結果は,圧電素子やフレキシブル基板上の透明な薄膜トランジスタに使うZnO膜の低温CVDプロセスに対する非平衡大気圧N₂/O₂プラズマの可能性を示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *プラズマCVD ,  窒素 ,  酸素 ,  基板温度 ,  *優先配向 ,  流量 ,  薄膜トランジスタ ,  圧電素子 ,  フレキシブル基板 ,  *半導体薄膜 ,  蒸着膜
準シソーラス用語： 酸化物半導体

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (31件)：

• 1) K.-H. Kim, K -C Park, and D.-Y Ma J Appl. Phys. 81 (1997) 7764.
• 2) H. Agura, A. Suzuki, T Matsushita, T. Aoki, and M. Okuda. Thin Solid Films 445 (2003) 263.
• 3) C. Jeong, H. S Kim, D. R. Chang, and K Kamisako Jpn. J Appl Phys 47 (2008) 5656.
• 4) T. Hirao, M Furuta, T. Hiramatsu, T Matsuda, C. Li, H Furuta, H Hokan, M Yoshida, H Ishii, and M Kakegawa IEEE Trans. Electron Devices 55 (2008) 3136.
• 5) H. Nakahata, K. Higaki, A. Hachigo, S Shikata, N. Fujimon, Y Takahashi, T. Kajihara, and Y. Yamamoto. Jpn J. Appl Phys. 33 (1994) 324.

タイトルに関連する用語 (8件)： 非平衡 ,  大気圧 ,  N2 ,  O2 ,  プラズマ ,  蒸着 ,  ZnO ,  配向制御