特許
J-GLOBAL ID：201303002649335517
熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-084990
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179322
出願日： 2013年04月15日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】高純度シリコンを原料にして、約300〜600°Cにおいて安定して高い熱電変換性能を発揮でき、高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性の高い熱電変換材料および熱電変換素子および熱電変換材料の製造方法の提供。【解決手段】ドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有する多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体から構成される熱電変換材料であって、前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とする熱電変換材料により課題を解決できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有する多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体から構成される熱電変換材料であって、
前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とする熱電変換材料。
IPC (6件)：
H01L 35/20
, H01L 37/00
, C22C 23/00
, B22F 1/00
, B22F 3/00
, B22F 3/10
H01L35/20
, H01L37/00
, C22C23/00
, B22F1/00 R
, B22F3/00 A
, B22F3/10 G
4K018AA13
, 4K018AB10
, 4K018AC01
, 4K018AD11
, 4K018BA01
, 4K018BA20
, 4K018BC12
, 4K018DA18
, 4K018DA31
, 4K018KA32
