特許
J-GLOBAL ID：200903051142760974

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
大野 英男

大野 英男 について

, 
池田 正二

池田 正二 について

, 
李 永▲みん▼

李 永▲みん▼ について

, 
早川 純

早川 純 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

, 
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-032420
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198792
出願日： 2007年02月13日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
【課題】ゼロ磁界にて高熱安定性を有する高速超低消費電力不揮発性メモリを提供する。【解決手段】スピントランスファートルクによる書込み方式をもつ不揮発性磁気メモリを構成するトンネル磁気抵抗効果膜1において、絶縁層304と非磁性導電層305を強磁性自由層303に積層する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
強磁性自由層と、強磁性固定層と、前記強磁性自由層と強磁性固定層の間に形成された第1の絶縁層と、前記強磁性自由層の前記第1の絶縁層側の面と反対側の面に形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の前記強磁性自由層側の面と反対側の面に形成された非磁性導電層とを有するトンネル磁気抵抗効果膜とを有し、 前記強磁性自由層の磁化を反転させる時には、少なくとも前記非磁性導電層、前記第2の絶縁層、前記強磁性自由層、前記第1の絶縁層、及び前記強磁性固定層の膜厚方向に電流を流し、 前記強磁性自由層の磁化方向を検知する時には、少なくとも前記強磁性自由層、前記第1の絶縁層、及び前記強磁性固定層の膜厚方向に電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32
FI (4件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32
Fターム (43件)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5F092AA01 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB49 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM