特許
J-GLOBAL ID：201303004513687404
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-016606
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102213
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：
【課題】 超接合ウエハの作製に有利で、かつトレンチゲート構造の作製にも有利な面方位を備えた構成とすること。【解決手段】 (100)面を表面とするN型半導体基板1に、<001>方向に伸び、かつ(010)面と(0-10)面を側面とする第1のトレンチ2を複数形成し、このトレンチ2をP型エピタキシャル層3で埋めることにより、超接合ウエハを作製する。この超接合ウエハに、<001>方向に伸びる第2のトレンチ4を形成し、このトレンチ4をゲート絶縁膜5およびゲート電極6で埋めることにより、トレンチゲート構造を有する半導体素子を作製する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(100)面またはこれと等価な面を表面とする第1導電型の半導体基板よりなる第1の半導体領域と、
前記半導体基板の表面層にて<001>方向に伸び、かつ(010)面と(0-10)面を側面とする複数の第1のトレンチ内に埋め込まれた第2導電型のエピタキシャル層よりなる第2の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面層にて<001>方向に伸びる第2のトレンチと、
前記第2のトレンチの内面に沿うゲート絶縁膜と、
前記第2のトレンチ内の、前記ゲート絶縁膜の内側に埋め込まれたゲート電極と、
を具備し、
前記第2のトレンチの幅は隣り合う前記第2半導体領域間の前記第1の半導体領域の幅より広いことを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/12
H01L29/78 652H
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652D
