特許
J-GLOBAL ID：201303011844021542
ランダム粒子構造を持つ多結晶シリコン膜の堆積方法、ドープされたランダム粒子構造を持つ多結晶シリコンゲート電極を堆積させる方法及びタングステン/シリコン複合膜を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
, 長谷川 芳樹
, 山田 行一
, 鈴木 康仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-505665
特許番号：特許第5224628号
出願日： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ドープされたランダム粒子構造を持つ多結晶シリコン膜の堆積方法であって、
基板をチャンバ内の支持体上に載置するステップと、
前記基板を650°C以上に加熱するステップと、
シリコン源ガスを前記チャンバ内に供給するステップと、
堆積の間にランダム粒子構造を有する多結晶シリコン膜が形成されるような濃度でH2と不活性ガスを含む希釈ガス混合物を前記チャンバ内に供給するステップと、
前記シリコン源ガス及び前記希釈ガスを前記チャンバ内に供給し、かつ前記基板を前記温度に加熱している間に、前記チャンバ内の前記シリコン源ガスを熱的に分解することにより、前記ランダム粒子構造を有する多結晶シリコン膜を前記支持体上に堆積させるステップと、
前記ランダム粒子構造を持つ多結晶シリコン膜へドーパントを注入するステップとを含み、
H2が前記希釈ガス混合物の8体積%より多く、20体積%未満であり、
前記希釈ガス混合物のH2/不活性ガス体積濃度比が、平均粒度が50〜500オングストロームのランダム粒子構造を持つ前記多結晶シリコン膜を堆積するような比率である
前記の方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 21/28 301 A
, H01L 21/285 C
, H01L 29/78 301 G
