特許

J-GLOBAL ID：201303012415309992

パターン形成方法及びレジスト組成物

発明者： 畠山 潤 ,  長谷川 幸士 ,  片山 和弘
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-149329
公開番号（公開出願番号）：特開2013-037351
出願日： 2012年07月03日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の1つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された(メタ)アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された下記一般式(1)〜(5)で示される繰り返し単位a1〜a5から選ばれる1以上の繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物、又は下記一般式(1)〜(5)で示される繰り返し単位a1〜a5から選ばれる1以上の繰り返し単位と下記一般式(e1)〜(e3)で示される繰り返し単位のいずれか1種以上とを有する高分子化合物と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/32 ,  C08F 20/26 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/32 ,  C08F20/26 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 514A

Fターム (91件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096EA12 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH13 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ18Y ,  2H125AJ23X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ68Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ84X ,  2H125AJ84Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM22N ,  2H125AM30P ,  2H125AM43P ,  2H125AM94N ,  2H125AM94P ,  2H125AM99N ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA01 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA05P ,  4J100BA06P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11S ,  4J100BA15R ,  4J100BA22P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC49R ,  4J100BC52P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53S ,  4J100BC58P ,  4J100BC58Q ,  4J100BC84R ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38 ,  5F146AA13

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 重合体、レジスト組成物、および微細パターンが形成された基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-112546   出願人：三菱レイヨン株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-321306   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-014712   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-134806   出願人：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-095523   出願人：富士写真フイルム株式会社