特許
J-GLOBAL ID:201303015421666810

紫外発光素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 西川 惠清 ,  坂口 武 ,  北出 英敏 ,  仲石 晴樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-091764
公開番号(公開出願番号):特開2013-222746
出願日: 2012年04月13日
公開日(公表日): 2013年10月28日
要約:
【課題】貫通転位を低減することが可能な紫外発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】紫外発光素子は、単結晶基板1と、単結晶基板1の一表面上に形成された複数の島状の核2と、隣り合う核2の間の隙間を埋め込み且つ全ての核2を覆うように単結晶基板1の上記一表面側に形成されたバッファ層3とを備えている。さらに、紫外発光素子は、バッファ層3上に形成されたn形AlzGa1-zN(0 請求項(抜粋):
単結晶基板と、単結晶基板の一表面上に形成されAlxGa1-xN(0 IPC (1件):
H01L 33/32
FI (1件):
H01L33/00 186
Fターム (5件):
5F141AA40 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA46 ,  5F141CA65
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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