特許
J-GLOBAL ID：200903068300208540
発光デバイスからの光取り出し改良のための核形成層
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329081
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158294
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 アルミニウムを含有する核形成層を含む発光デバイスが開示される。【解決手段】 この核形成層の厚さとアルミニウム組成は、基板とデバイス層の屈折率を一致させるように選択されて、デバイス層から核形成層に入射する光の90%が基板内に取り出されるようになる。幾つかの実施形態において、核形成層は、約1000オングストロームから約1200オングストロームまでの厚さ、及び約2%から約8%までのアルミニウム組成を有するAlGaNである。幾つかの実施形態において、核形成層は、基板のc-面からミスカットされたウルツ鉱型基板の表面の上に形成される。幾つかの実施形態において、核形成層は、例えば900°から1200°Cまでの高温で形成される。幾つかの実施形態において、核形成層に、約3e18cm-3から約5e19cm-3までの濃度にSiがドープされる。
請求項（抜粋）：
基板と、アルミニウムを含み、前記基板の上にある核形成層と、少なくとも一つの発光層を含み、前記核形成層の上にある複数のIII族窒化物デバイス層と、を備え、前記核形成層のアルミニウム組成と厚さが、デバイス層から該核形成層に入射する光の少なくとも90%が前記基板内に取り出されるように選択される、ことを特徴とする発光デバイス。
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
