特許
J-GLOBAL ID：201303015913846295
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 泰比古
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098453
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299349
特許番号：特許第4848591号
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板と、前記第1導電型の半導体基板の表面に形成され、該半導体基板よりもドーパント濃度が低く、表面部分が表面チャネル層として機能する第1導電型の炭化珪素エピタキシャル層と、前記炭化珪素エピタキシャル層の内部の所定領域に形成される第2導電型のゲート1領域と、前記炭化珪素エピタキシャル層の表層部の所定領域に形成される第1導電型のソース領域と、前記炭化珪素エピタキシャル層の表層部の所定領域に形成される第2導電型のゲート2領域と、前記ゲート1領域およびゲート2領域のそれぞれに個々に接触するように形成されたゲート電極と、前記ソース領域上に形成されたソース電極と、前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極とを備え、ノーマリーオフ型接合型電界効果トランジスタを構成する炭化珪素半導体装置において、前記ゲート1領域には、前記ゲート2領域と上下に重なり合う部分に、第1導電型の切欠又は切欠穴を形成し、前記ゲート1領域の上面と前記ゲート2領域の下面との間隔、前記表面チャネル層のドーパント濃度と前記ゲート1領域および前記ゲート2領域のドーパント濃度、前記切欠又は切欠穴の大きさ、および、前記エピタキシャル層のドーパント濃度と前記ゲート1領域のドーパント濃度が、Vg=0Vのときに、空乏層がちょうどつながるような値とされ、前記ゲート1領域と同一平面でゲート1領域外の領域が電流経路とされていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/337 ( 200 6.01)
, H01L 29/808 ( 200 6.01)
