特許
J-GLOBAL ID：201103039864979685

積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-262853
公開番号（公開出願番号）：特開2011-135064
出願日： 2010年11月25日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料の作製方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下地部材上に、酸化物部材を形成し、 加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、前記下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を形成し、 前記第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法。
IPC (9件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/167 ,  G02F 1/17 ,  H01L 21/203 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (13件)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618Z ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F1/17 ,  H01L21/203 S ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (153件)：
2H092JA26 ,  2H092KA03 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA22 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  2K101AA04 ,  2K101AA08 ,  2K101BA02 ,  2K101BA12 ,  2K101BB43 ,  2K101BD61 ,  2K101EC08 ,  2K101ED13 ,  2K101EE02 ,  2K101EH02 ,  2K101EH03 ,  2K101EH12 ,  2K101EH14 ,  2K101EJ22 ,  2K101EJ33 ,  2K101EK35 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB08 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107EE58 ,  3K107EE59 ,  3K107FF04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB42 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM13 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA01 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF11 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17 ,  5F152FF21 ,  5F152FF30
引用特許：
審査官引用 (7件)
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