特許
J-GLOBAL ID：201303019748949950

二次元電子ガスと二次元ホールガスを伴う半導体素子

発明者：
中島 昭

中島 昭 について

, 
マダシル、サンカラ ナラヤナン エッカナス

マダシル、サンカラ ナラヤナン エッカナス について


出願人/特許権者：
ザ・ユニバーシティ・オブ・シェフィールド

ザ・ユニバーシティ・オブ・シェフィールド について


代理人 (4件)： 北澤 一浩 ,  小泉 伸 ,  市川 朗子 ,  牛田 竜太
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-521211
公開番号（公開出願番号）：特表2013-532906
出願日： 2011年06月07日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：
【課題】 電力消費の少ない半導体素子の提供。【解決手段】3つの半導体層を有する半導体素子である。半導体層は分極層によって互いに分離された2DHG及び2DEGを形成するように設けられている。素子はまた複数の電極である第1電極、第2電極第3電極を有する。第1電極と第2電極は2DHGと電気的に接続されて、2DHGを介して第1電極と第2電極との間に電流が流れる。第3電極は、2DEGと電気的に接続され、他の電極のうちの少なくとも1つの電極に印加される電圧対して第3電極に印加される電圧が正のとき、2DEGと2DHGとは少なくとも部分的に消失する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
3つの半導体層と、複数の電極とを備えた半導体素子であって、 該半導体層は分極層によって互いに分離された2DHG及び2DEGを形成するように設けられ、 該複数の電極は第1電極、第2電極、第3電極を有し、 該第1電極と該第2電極は該2DHGと電気的に接続されて、該2DHGを介して該第1電極と該第2電極との間に電流が流れ、 該第3電極は、該2DEGと電気的に接続され、他の電極のうちの少なくとも1つの電極に印加される電圧対して該第3電極に印加される電圧が正のとき、該2DEGと該2DHGとは少なくとも部分的に消失することを特徴とする半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/095 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 E ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L
Fターム (31件)：
4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF03 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  5F102GA03 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM