特許
J-GLOBAL ID：201303020946128570

ディスプレイ

発明者：
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (9件)： 岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  齋藤 正巳 ,  木村 克彦 ,  ▲濱▼口 岳久 ,  田中 尚文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-007273
公開番号（公開出願番号）：特開2013-128127
出願日： 2013年01月18日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：
【課題】トランジスタのチャネルに用いられる酸化物材料に工夫を加え、ヒステリシスの低減を図ることを目的とする。【解決手段】GaとInとZn、SnとInとZn、InとZnとGaとMg、InとSn、InとGa、又はInとZnのいずれかを含む酸化物半導体膜であって、電子キャリア濃度が1014/cm3以上1018/cm3以下であり、1016/cm3以上1020/cm3以下の水素原子を含有するチャネル層を有する薄膜トランジスタをスイッチング素子として有するディスプレイ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaとInとZn、SnとInとZn、InとZnとGaとMg、InとSn、InとGa、又はInとZnのいずれかを含む酸化物半導体膜であって、電子キャリア濃度が1014/cm3以上1018/cm3以下であり、1016/cm3以上1020/cm3以下の水素原子を含有するチャネル層を有する薄膜トランジスタをスイッチング素子として有するディスプレイ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00 ,  C01G 9/00 ,  G02F 1/136
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 618F ,  C01G15/00 B ,  C01G19/00 A ,  C01G9/00 B ,  G02F1/1368
Fターム (56件)：
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA49 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA55 ,  2H092MA56 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092PA01 ,  4G047AA04 ,  4G047AB01 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  5F110AA08 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (6件)
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