特許
J-GLOBAL ID：201303022179811776

欠陥検出方法、欠陥検出装置、および半導体基板の製造方法

発明者：
中島 隆宏

中島 隆宏 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-042509
公開番号（公開出願番号）：特開2013-178176
出願日： 2012年02月28日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】半導体基板の欠陥を検出するのに必要な電流量が制限される場合でも、欠陥を検出できる欠陥検出方法を提供する。【解決手段】複数の配線に電圧を印加中の半導体基板の温度分布を示す赤外線画像を取得し、発熱した半導体素子の位置を特定し、予め判明している複数の半導体素子の位置と複数の配線との電気的接続関係の情報から、複数の配線のうち発熱した半導体素子と電気的接続する配線を短絡欠陥のある欠陥配線と判定する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
複数の配線と当該配線に電気的接続する複数の半導体素子とが形成された半導体基板の、前記配線に電圧を印加する電圧印加工程と、 前記電圧印加工程中の前記半導体基板の温度分布情報を取得する温度分布情報取得工程と、 前記取得した温度分布情報に基づき発熱した前記半導体素子の位置を特定する位置特定工程と、 予め判明している前記複数の半導体素子の位置と前記複数の配線との電気的接続関係の情報から、前記複数の配線のうち前記発熱した半導体素子と電気的接続する前記配線を短絡欠陥のある欠陥配線と判定する欠陥配線判定工程と、 を含むことを特徴とする欠陥検出方法。
IPC (3件)：
G01N 25/72 ,  G01B 11/00 ,  G02F 1/13
FI (3件)：
G01N25/72 G ,  G01B11/00 H ,  G02F1/13 101
Fターム (23件)：
2F065AA03 ,  2F065AA14 ,  2F065AA18 ,  2F065BB02 ,  2F065CC00 ,  2F065CC01 ,  2F065DD03 ,  2F065FF04 ,  2F065GG09 ,  2F065JJ00 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ26 ,  2F065MM03 ,  2F065MM07 ,  2F065PP12 ,  2G040AA06 ,  2G040AB12 ,  2G040CA01 ,  2G040CA23 ,  2G040DA06 ,  2H088FA13 ,  2H088FA30
引用特許：
審査官引用 (8件)
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