特許
J-GLOBAL ID：201303027128601124

ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
大澤 洋一

大澤 洋一 について

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提箸 正義

提箸 正義 について

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長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

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佐々見 武志

佐々見 武志 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-171551
公開番号（公開出願番号）：特開2013-037092
出願日： 2011年08月05日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
【解決手段】(A)3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピオン酸スルホニウム塩、(B)式(1-2)で示される酸発生剤、(式中、R4はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表す。R5は水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ar’はヘテロ原子を含んでもよい非置換又は置換の炭素数6〜20のアリール基を示す。)(C)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、(D)有機溶剤を必須成分として含有するArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】疎水性が高く、液浸水への溶出が低く、酸拡散を制御できるため、高解像性のパターンプロファイルを構築できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1-1)で示される3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピオン酸スルホニウム塩、
IPC (5件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28 ,  C08F 20/24
FI (6件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 504 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/28 ,  C08F20/24
Fターム (41件)：
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF43P ,  2H125AF70P ,  2H125AH11 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM22P ,  2H125AM66P ,  2H125AM91P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AL08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA05P ,  4J100BA15P ,  4J100BB18P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100JA00 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (11件)
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