特許
J-GLOBAL ID：201303028490488278
厚膜ホトレジストパターンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-276382
公開番号（公開出願番号）：特開2013-127518
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：
【課題】泡かみを抑えた厚膜ホトレジストパターンの製造方法を提供する。【解決手段】支持体上に、厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる厚膜ホトレジスト層を積層する積層工程と、前記厚膜ホトレジスト層に、活性光線又は放射線を照射する露光工程と、露光後の前記厚膜ホトレジスト層を現像して厚膜ホトレジストパターンを得る現像工程と、を含み、前記厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、有機溶剤(S)とを含有し、前記有機溶剤(S)は、大気圧での沸点が150°C以上であり、シリコン基板に対する接触角が18度以下である有機溶剤を全有機溶剤中40質量%以上含むものである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
支持体上に、厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる厚膜ホトレジスト層を積層する積層工程と、
前記厚膜ホトレジスト層に、活性光線又は放射線を照射する露光工程と、
露光後の前記厚膜ホトレジスト層を現像して厚膜ホトレジストパターンを得る現像工程と、
を含み、
前記厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、有機溶剤(S)とを含有し、
前記有機溶剤(S)は、大気圧での沸点が150°C以上であり、シリコン基板に対する接触角が18度以下である有機溶剤を全有機溶剤中40質量%以上含む、厚膜ホトレジストパターンの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 7/004
, G03F 7/039
, H01L 21/027
G03F7/004 501
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
2H125AF18P
, 2H125AF46P
, 2H125AH06
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AJ13X
, 2H125AJ53X
, 2H125AJ54X
, 2H125AJ56X
, 2H125AJ60X
, 2H125AK13
, 2H125AM10P
, 2H125AM16P
, 2H125AM80P
, 2H125AN34P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN45P
, 2H125AN56P
, 2H125AN57P
, 2H125AN59P
, 2H125AN63P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CC03
, 2H125CC15
