可変抵抗絶縁層を用いたメモリ素子及びそれを有するプロセッサシステム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：野村泰久 , 大菅義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-207558
公開番号（公開出願番号）：特開2013-048251
出願日： 2012年09月20日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：

【課題】可変抵抗材料を用いて形成されるランダムアクセスメモリ装置を提供する。【解決手段】可変抵抗メモリ装置301において、望ましい円錐状に形造された下部電極308は、下部電極308の頂点のところにおける絶縁材料312の厚さが最も薄く、下部電極308の頂点のところにおける電界が最大であることを確保する。電極308、310の配置およびメモリ素子の構造はメモリ装置内に安定で確実に導電路を作り出し、かつ、スイッチングとメモリ特性を再生可能にする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上の誘電体層と、前記基板上で前記誘電体層内の開口部の内部に形成された第一電極であって、該第一電極は円錐形状である、第一電極と、第二電極と、前記第一及び第二電極間で前記開口部内の可変抵抗絶縁層であって、前記可変抵抗絶縁層は酸化物層であり、前記可変抵抗絶縁層は前記第一電極の斜面全体及び頂点と直接接触しており、前記可変抵抗絶縁層の厚さは前記第一電極の頂点のところで最も薄い、可変抵抗絶縁層と、を含むことを特徴とするメモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 461 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (23件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA07 , 5F083HA10 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083MA19 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR22 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA30

引用特許：

審査官引用 (10件)

マルチステートエレメントを有するメモリー・アレーと該アレーあるいは該アレーのセルを形成するための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-501467 出願人：ミクロンテクノロジーインコーポレイテッド
相変化媒体メモリデバイスのための、熱損失が小さく接触面積が小さい複合電極
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-097798 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-600308 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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