特許
J-GLOBAL ID：201303031830939467

半導体装置

発明者：
本田 達也

本田 達也 について

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津吹 将志

津吹 将志 について

, 
野中 裕介

野中 裕介 について

, 
島津 貴志

島津 貴志 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-209947
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084940
出願日： 2012年09月24日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域において、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第1の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜との界面から前記酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が1.0原子%以下で分布する第1の領域を有し、 少なくとも前記第1の領域内に、結晶部を含む半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  G09F 9/30
FI (9件)：
H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 617T ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  G09F9/30 338
Fターム (142件)：
2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA29 ,  3K107AA01 ,  3K107AA07 ,  3K107AA08 ,  3K107AA09 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DB05 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA08 ,  5C094JA01 ,  5C094JA08 ,  5C094JA20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103KK01 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG36 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG54 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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