特許
J-GLOBAL ID：201303032357246706

半導体装置の製造方法

発明者：
温井 健司

温井 健司 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-280568
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131651
出願日： 2011年12月21日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】均一性が高く、高い歩留りで窒化物半導体を有する半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に、窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層の上に、導電膜を形成する工程と、前記導電膜の上に、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンが形成されて領域の前記導電膜をドライエッチングにより除去し、電極を形成する工程と、を有し、前記ドライエッチングに用いられるエッチングガスは、塩素成分を含むガスにフッ素成分を含むガスまたは酸素を加えたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板の上に、窒化物半導体層を形成する工程と、 前記窒化物半導体層の上に、導電膜を形成する工程と、 前記導電膜の上に、レジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンが形成されて領域の前記導電膜をドライエッチングにより除去し、電極を形成する工程と、 を有し、 前記ドライエッチングに用いられるエッチングガスは、塩素成分を含むガスにフッ素成分を含むガスまたは酸素を加えたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28
FI (4件)：
H01L21/302 105A ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301B
Fターム (53件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104DD68 ,  4M104EE06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH11 ,  5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB12 ,  5F004EB02 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT06 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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