金属窒化物を乾式エッチングする方法及びシステム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-074097
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244479
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】チタン窒化物等の金属窒化物をエッチングする方法及びシステムについて開示している。【解決手段】そのエッチングの処理は、Cl2、HBr又はBCl2等のハロゲン含有ガス、及び化学式CxHyFzを有するフルオロカーボンガスであって、x及びzは1に等しいか又は1より大きく、yは0に等しいか又は0より大きい、フルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板において金属含有層をエッチングする方法であって: プラズマ処理システムにおいて金属窒化物層を有する前記基板を備える段階; 前記基板の温度を約30°C以上高くする段階; 前記プラズマ処理システムにハロゲン含有ガス及びフルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階であって、前記フルオロカーボンガスは化学式CxHyFzを有し、ここで、x及びzは1に等しいか又は1より大きく、yは0に等しいか又は0より大きい、段階; 前記プラズマ処理システムにおいて前記処理成分からプラズマを生成する段階;並びに前記金属窒化物層をエッチングするように前記プラズマに前記基板を晒す段階; を有する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4件)：

H01L21/302 105A , H01L21/28 E , H01L21/28 301R , H01L29/58 G

Fターム (36件)：

4M104BB01 , 4M104BB13 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD65 , 4M104DD72 , 4M104DD79 , 5F004AA02 , 5F004AA05 , 5F004AA06 , 5F004BB11 , 5F004BB22 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DA30 , 5F004DB00 , 5F004DB02 , 5F004DB12 , 5F004DB13 , 5F004EA03 , 5F004EA06 , 5F004EA22 , 5F004EA28

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体ウェーハをエッチングするための方法と装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-529598 出願人：ラムリサーチコーポレイション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-007011 出願人：セイコーエプソン株式会社, アプライドマテリアルズジャパン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-325094 出願人：ソニー株式会社, 富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る