特許
J-GLOBAL ID：201303033314483107

半導体装置

発明者：
上田 哲也

上田 哲也 について

, 
山口 義弘

山口 義弘 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-129261
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256746
出願日： 2011年06月09日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】反り、クラック等の不具合の防止、実装の適正化および容易化、等を実現しうる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、半導体チップ等を搭載した絶縁基板に接合された一方主面を有するベース板120と、ベース板120の一方主面と絶縁基板と半導体チップ等を覆うように且つベース板120の他方主面は露出するように設けられたトランスファーモールド樹脂140とを含む。ベース板120の線膨張係数は銅のそれよりも低く、トランスファーモールド樹脂140の線膨張係数は16ppm/°C以下である。トランスファーモールド樹脂140は、ベース板120の相対する短辺中央部付近がそれぞれ露出するようにえぐられた形状142を有している。ベース板120は、トランスファーモールド樹脂140のえぐられた形状142によって露出している各部分に、取り付け穴122を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの半導体チップおよび少なくとも1つの電極が搭載された一方主面を有する絶縁基板と、 前記絶縁基板の他方主面に接合された一方主面を有するベース板と、 前記ベース板の前記一方主面と前記絶縁基板と前記少なくとも1つの半導体チップと前記少なくとも1つの電極の接合端部とを覆うように且つ前記ベース板の他方主面は露出するように設けられたトランスファーモールド樹脂と を備え、 前記ベース板の線膨張係数は銅の線膨張係数よりも低く、前記トランスファーモールド樹脂の線膨張係数は16ppm/°C以下であり、 前記トランスファーモールド樹脂は、前記ベース板の相対する短辺中央部付近がそれぞれ露出するようにえぐられた形状を有し、 前記ベース板は、前記トランスファーモールド樹脂の前記えぐられた形状によって露出している各部分に当該ベース板を厚さ方向に貫通する取り付け穴を有していることを特徴とする、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L23/28 B ,  H01L25/04 C
Fターム (8件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB02 ,  4M109DB15 ,  4M109DB16 ,  4M109GA02 ,  4M109GA05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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