特許
J-GLOBAL ID：200903086660373168
発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
豊栖 康司
, 豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-001568
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164423
出願日： 2008年01月08日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
【課題】耐候性に優れ、さらに高い反射能力を有すると共に薄膜化可能な反射構造を備える発光素子を提供する。【解決手段】発光層8を有する半導体構造11と、半導体構造11の一方の主面側に設けられた光取り出し面18と、光取り出し面18と対向する他方の主面側に備えられ、半導体構造11に電気的に接続される電極3と、を有する発光素子であって、半導体構造11と電極3との間に反射構造20が形成されており、反射構造20は、半導体構造11上に形成される反射層16と、この反射層16上であって複数の誘電体より構成される誘電体多層膜4と、を有しており、反射層16の屈折率は半導体構造11の屈折率よりも小さく、かつ、反射構造20の反射スペクトルの中心波長が、発光層8からの発光ピーク波長よりも長波長である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
発光層(8)を有する半導体構造(11)と、
前記半導体構造(11)の一方の主面側に設けられた光取り出し面(18)と、
前記光取り出し面(18)と対向する他方の主面側に備えられ、前記半導体構造(11)に電気的に接続される電極(3)と、
を有する発光素子であって、
前記半導体構造(11)と前記電極(3)との間に反射構造(20)が形成されており、
前記反射構造(20)は、前記半導体構造(11)上に形成される反射層(16)と、該反射層(16)上であって複数の誘電体より構成される誘電体多層膜(4)と、を有しており、
前記反射層(16)の屈折率は前記半導体構造(11)の屈折率よりも小さく、
かつ、前記反射構造(20)の反射スペクトルの中心波長が、前記発光層(8)からの発光ピーク波長よりも長波長であることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 A
, H01L33/00 E
5F041AA03
, 5F041AA34
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA94
, 5F041CB15
, 5F041DA04
, 5F041DA12
, 5F041DA17
, 5F041DA19
, 5F041DA26
, 5F041DA45
, 5F041DA57
, 5F041DB03
, 5F041DB09
出願人引用 (3件)
審査官引用 (11件)
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