特許
J-GLOBAL ID：201103049286262786

電子線用又はEUV用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者：
増永 恵一

増永 恵一 について

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渡邉 聡

渡邉 聡 について

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田中 啓順

田中 啓順 について

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土門 大将

土門 大将 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-016371
公開番号（公開出願番号）：特開2011-191741
出願日： 2011年01月28日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【解決手段】(A)高分子化合物又は高分子化合物の混合物による膜がアルカリ性現像液に不溶性であり、酸の作用により可溶性に変化する高分子化合物又は高分子化合物の混合物、(B)酸発生剤、(C)酸の作用を抑制するための塩基性化合物、(D)溶剤を含有し、上記(C)成分は、塩基性活性点として2級又は3級アミン構造を持つ側鎖を有する繰り返し単位を持つ高分子化合物であると共に、上記(A)成分である高分子化合物の一部又は全部である電子線用又はEUV用化学増幅ポジ型レジスト組成物。【効果】本発明によれば、超微細パターンを要求されるレジストパターンの形成において、上記化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いることで、塩基の存在を均一にでき、ラインエッジラフネスの改善、更には温度依存性の抑制ができ、高解像度が期待できる化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)単一種の高分子化合物又は複数種の高分子化合物の混合物であり、上記高分子化合物の一部又は全部は酸により脱保護される保護基を持つことで、上記高分子化合物又は上記高分子化合物の混合物による膜がアルカリ性現像液に不溶性であり、酸の作用により可溶性に変化する高分子化合物又は高分子化合物の混合物、 (B)酸発生剤、 (C)酸の作用を抑制するための塩基性化合物、及び (D)溶剤 を含有する電子線用又はEUV用化学増幅ポジ型レジスト組成物であって、 上記(C)成分である塩基性化合物は、塩基性活性点として2級アミン構造又は3級アミン構造を持つ側鎖を有する繰り返し単位を持つ高分子化合物であると共に、上記(A)成分である高分子化合物の一部又は全部であり、 上記高分子化合物である(C)成分以外の(C)成分として分子量1,000以下の化合物を含まないか、含む場合には(B)成分である酸発生剤の20分の1モル以下であることを特徴とする電子線用又はEUV用化学増幅ポジ型レジスト組成物。
IPC (6件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/30 ,  C08F 220/34 ,  C08F 212/02
FI (6件)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/30 ,  C08F220/34 ,  C08F212/02
Fターム (69件)：
2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH22 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ08Y ,  2H125AJ12Y ,  2H125AJ42X ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ70Y ,  2H125AL02 ,  2H125AL11 ,  2H125AM15P ,  2H125AM22P ,  2H125AM66P ,  2H125AM93P ,  2H125AM95P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN57P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AB00P ,  4J100AB00R ,  4J100AB07P ,  4J100AB07R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR09S ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA28Q ,  4J100BA30Q ,  4J100BA31Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12R ,  4J100BC43P ,  4J100BC43R ,  4J100BC48P ,  4J100BC49P ,  4J100BC65Q ,  4J100BC79Q ,  4J100BC83Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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