特許
J-GLOBAL ID：201303035203907407

パッド、半導体装置、半導体装置の製造方法及び試験方法

発明者：
永井 孝一

永井 孝一 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-030087
公開番号（公開出願番号）：特開2013-128141
出願日： 2013年02月19日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：
【課題】パッドにおいて、パッドの配置密度を向上させると共に、電気的試験で使用されるプローブによってパシベーション膜が欠損するのを防止する手段の提供。【解決手段】開口41aが形成されたパシベーション膜41で覆われたパッド37bにおいて、半導体装置に設けられた概略三角形状の第1の金属膜37xと、第1の金属膜37x上であって、パッド37bの開口面にパシベーション膜41の開口41aの側面の平面視で内側に、概略三角形状の底辺部Rの第1の幅W5よりも概略三角形状の頂点部Pにおける第2の幅W4が広く、はみ出して形成された第2の金属膜37yとを備えたパッドとする。【選択図】図21
請求項（抜粋）：
開口が形成されたパシベーション膜で覆われたパッドにおいて、 半導体装置に設けられた概略三角形状の第1の金属膜と、 前記第1の金属膜上であって、前記パッドの開口面に前記パシベーション膜の前記開口の側面の平面視で内側に、前記概略三角形状の底辺部の第1の幅よりも前記概略三角形状の頂点部における第2の幅が広く、はみ出して形成された第2の金属膜と、 を備えたことを特徴とするパッド。
IPC (1件)：
H01L 21/66
FI (1件)：
H01L21/66 E
Fターム (6件)：
4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AD01 ,  4M106AD09 ,  4M106AD30 ,  4M106BA01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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