特許
J-GLOBAL ID：201303035241364310

1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置

発明者：
コリンズ,ジミー ディー.

コリンズ,ジミー ディー. について

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デクレイカー,デイビッド

デクレイカー,デイビッド について

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ガスト,トレイシー エー.

ガスト,トレイシー エー. について

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ローズ,アラン ディー.

ローズ,アラン ディー. について


出願人/特許権者：
ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド

ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  島田 哲郎 ,  三橋 真二 ,  利根 勇基 ,  伊藤 公一 ,  篠田 拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-000166
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102184
出願日： 2013年01月04日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：
【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品との間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
マイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置であって、 a)処理の期間中に前期半製品が配置される処理室と、 b)前記処理の期間中に前記半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面を有する隔壁構造と、 c)前記下側表面上の液体を効果的に隔壁板の下側表面から吸引しながら抜き取ることができる態様により、前記隔壁構造に流れが連通している吸引通路とを備える装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  F26B 5/12
FI (3件)：
H01L21/304 651B ,  F26B5/12 ,  H01L21/304 648Z
Fターム (26件)：
3L113AA01 ,  3L113AB10 ,  3L113AC29 ,  3L113AC67 ,  3L113BA34 ,  3L113DA10 ,  3L113DA11 ,  5F157AA03 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157BB23 ,  5F157BB33 ,  5F157BB37 ,  5F157BB42 ,  5F157BC35 ,  5F157BH21 ,  5F157CC11 ,  5F157CF18 ,  5F157CF22 ,  5F157CF60 ,  5F157CF62 ,  5F157CF72 ,  5F157DB32 ,  5F157DC90
引用特許：
審査官引用 (8件)
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