半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-133972
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239719
出願日： 2013年06月26日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電層と、前記第1の導電層の上方の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上方の第2の絶縁層と、前記酸化物半導体層に接する第2の導電層と、を有し、前記酸化物半導体層は、前記第2の絶縁層と接し第1の膜厚を有する領域と、前記第2の導電層と接し第2の膜厚を有する領域と、を有し、前記第2の膜厚は、前記第1の膜厚より小さく、前記第1の導電層は、トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、前記第1の絶縁層は、前記トランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する領域を有し、前記第2の導電層のうち前記酸化物半導体層と接する領域は、アルミニウム、銅、チタン、又はモリブデンを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (10件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 618C , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 619A , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , G02F1/1368 , H05B33/14 A

Fターム (117件)：

2H192AA24 , 2H192CB05 , 2H192CB13 , 2H192CB37 , 2H192CB72 , 2H192CB83 , 2H192CC41 , 2H192FB02 , 2H192HA13 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107CC33 , 3K107EE03 , 3K107HH05 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD40 , 4M104DD51 , 4M104DD63 , 4M104DD64 , 4M104DD71 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE17 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF08 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104FF21 , 4M104FF26 , 4M104GG04 , 4M104HH04 , 4M104HH10 , 4M104HH13 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP10 , 5F110QQ01 , 5F110QQ12

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-178356 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、及びその製造方法、並びに放射線検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-101511 出願人：キヤノン株式会社
半導体素子、半導体素子の製造方法、及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-325734 出願人：シャープ株式会社

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