特許

J-GLOBAL ID：201303035914277058

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 篠嶋 妥 ,  大貫 仁 ,  玉橋 邦裕
出願人/特許権者： 国立大学法人茨城大学
代理人 (1件)： 江口 州志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-124608
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251380
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

【課題】配線層の一層の低抵抗率化を図るとともに、耐エレクトロマイグレーション性に優れる半導体集積回路装置とその製造方法を提供する。【解決する手段】回路素子が形成された半導体基体と、前記半導体基体の主表面上に形成された絶縁層と、少なくとも前記絶縁層を利用して形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成された銅配線とを備え、前記銅配線の線幅が70nm以下で、前記銅配線の前記トレンチの底面から前記トレンチの高さの1/4の距離にある部分の平均結晶粒径は、配線幅の1.3倍以上であり、且つ、前記トレンチの最上部表面の平均結晶粒径に対して比率が85%以上であることを特徴とする。このような特徴を有する半導体集積回路装置は、最高温度が450°C以上に設定されたサイクルアニール処理、又は純度が6Nを超える硫酸銅めっき浴及びアノード銅電極を用いた電解めっきによって製造される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

回路素子が形成された半導体基体と、前記半導体基体の主表面上に形成された絶縁層と、少なくとも前記絶縁層を利用して形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成された銅配線とを備え、前記銅配線の線幅が70nm以下で、前記銅配線の前記トレンチの底面から前記トレンチの高さの1/4の距離にある部分の平均結晶粒径は、配線幅の1.3倍以上であり、且つ、前記トレンチの最上部表面の平均結晶粒径に対して比率が85%以上であることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8件)：

H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/10 ,  C25D 5/50

FI (8件)：

H01L21/88 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 A ,  H01L21/28 B ,  H01L21/288 E ,  C25D7/12 ,  C25D17/10 101B ,  C25D5/50

Fターム (70件)：

4K024AA09 ,  4K024AB08 ,  4K024AB19 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024DB01 ,  4K024GA16 ,  4M104AA00 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104GG18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH16 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033LL08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-267428   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-151129   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-041774   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-106945   出願人：国立大学法人茨城大学, 独立行政法人物質・材料研究機構, 株式会社ボンゾウ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-239197   出願人：株式会社ルネサステクノロジ