特許
J-GLOBAL ID：201303037333021594
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
, 香山 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-266058
公開番号（公開出願番号）：特開2013-118336
出願日： 2011年12月05日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：
【課題】内部配線の自己インダクタンスの小さなパワーモジュールを実現できる半導体装置を提供する。【解決手段】第1アッセンブリ3は、第1基板51と、複数の第1スイッチング素子Tr1と、複数の第1ダイオード素子Di1とを含む。第1基板51上には、第1素子接合用導体層53が形成されている。第1素子接合用導体層53上に、複数の第1スイッチング素子Tr1および複数の第1ダイオード素子Di1が接合されている。Y方向に位置整合している第1スイッチング素子Tr1および第1ダイオード素子Di1は、リボン61によって、出力端子OUTの内部配線接続部32aに接続されている。第1素子接合用導体層53と第1電源端子Pの内部配線接続部31aとはリボン62によって接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方向に延びた第1内部配線接続部を有する第1電源端子と、
前記第1内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第2内部配線接続部を有する出力端子と、
前記第2内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第3内部配線接続部を有する第2電源端子と、
前記第1、第2および第3内部配線接続部を含む積層構造体の一側方に配置され、上アーム回路を構成する第1アッセンブリと、
前記積層構造体に対して前記第1アッセンブと反対側に配置され、下アーム回路を構成する第2アッセンブリと、
前記第1アッセンブリを前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの一方に接続するための第1接続金属部材と、
前記第1アッセンブリを前記第2内部配線接続部に接続するための第2接続金属部材と、
前記第2アッセンブリを前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの他方に接続するための第3接続金属部材と、
前記第2アッセンブリを第2内部配線接続部に接続するための第4接続金属部材とを含み、
前記第1接続金属部材および前記第2接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の接続部材で構成され、
前記第3接続金属部材および前記第4接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されている、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H02M 1/00
, H02M 7/48
, H01L 21/60
H01L25/04 C
, H02M1/00 F
, H02M1/00 Z
, H02M7/48 Z
, H01L21/60 321E
5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007HA04
, 5H740BA11
, 5H740BB05
, 5H740PP02
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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