特許
J-GLOBAL ID：200903085254675149
半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245232
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059737
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】 低インダクタンスと発熱バランスとを兼ね備えた低損失な半導体装置、及び、それを用いた電力変換装置を提供する。【解決手段】 第1電位と第3電位との間に少なくとも一つの第1パワー半導体素子が電気的に接続された第1半導体素子群と、第2電位と第3電位との間に少なくとも一つの第2パワー半導体素子が電気的に接続された第2半導体素子群と、第1電位と第3電位との間に少なくとも一つの第3パワー半導体素子が電気的に接続された第3半導体素子群とを有する半導体装置及びそれを用いた電力変換装置であって、第2半導体素子群は、第1半導体素子群と第3半導体素子群との間に配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電位と第3電位との間に少なくとも一つの第1パワー半導体素子が電気的に接続された第1半導体素子群と、
第2電位と前記第3電位との間に少なくとも一つの第2パワー半導体素子が電気的に接続された第2半導体素子群と、
前記第1電位と前記第3電位との間に少なくとも一つの第3パワー半導体素子が電気的に接続された第3半導体素子群とを有する半導体装置であって、
前記第2半導体素子群は、前記第1半導体素子群と前記第3半導体素子群との間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H02M 7/48
5H007AA03
, 5H007AA07
, 5H007CA01
, 5H007HA03
, 5H007HA04
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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