特許
J-GLOBAL ID:201303040094345804
薄膜パターン形成方法及びマスク
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
笹島 富二雄
, 西山 春之
, 奥山 尚一
, 小川 護晃
, 荒木 邦夫
, 梶 大樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-242089
公開番号(公開出願番号):特開2013-095992
出願日: 2011年11月04日
公開日(公表日): 2013年05月20日
要約:
【課題】高精細な複数種の薄膜パターンの形成を効率よく行い得るようにする。【解決手段】フィルム2に有機EL層17R,17G,17Bと同形状の開口パターン4を設けたマスク1をフィルム2がTFT基板19側となるようにして該TFT基板19上に位置決めし載置し、TFT基板19のR対応アノード電極21R上にマスク1の開口パターン4を介して成膜し、R有機EL層17Rを形成した後、マスク1を複数種の有機EL層17R〜17Bの配列ピッチと同寸法だけアノード電極21R,21G,21Bの並び方向に移動し、TFT基板19のG対応アノード電極21G上にマスク1の開口パターン4を介して成膜し、G有機EL層17Gを形成する。【選択図】図6
請求項(抜粋):
基板上に一定の配列ピッチで並べて一定形状の複数種の薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、
前記複数種の薄膜パターンのうち、一の薄膜パターンの形成領域に対応して該薄膜パターンよりも形状の大きい開口部を形成した平板状の保持部材の一面に、可視光を透過する樹脂製のフィルムを面接合して保持すると共に、前記保持部材の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記一の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンと同形状の開口パターンを設けたマスクを前記フィルムが前記基板側となるようにして該基板上に位置決めし載置するステップと、
前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に前記マスクの開口パターンを介して成膜し、前記一の薄膜パターンを形成するステップと、
前記マスクを前記複数種の薄膜パターンの配列ピッチと同寸法だけ前記複数種の薄膜パターンの並び方向に移動するステップと、
前記基板の他の薄膜パターン形成領域に前記マスクの開口パターンを介して成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
IPC (3件):
C23C 14/04
, H05B 33/10
, H01L 51/50
FI (3件):
C23C14/04 A
, H05B33/10
, H05B33/14 A
Fターム (15件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC35
, 3K107CC45
, 3K107FF15
, 3K107GG33
, 3K107GG54
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA62
, 4K029BB03
, 4K029CA01
, 4K029DB06
, 4K029DB18
, 4K029HA01
引用特許:
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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