特許
J-GLOBAL ID：201303046259046066

炭化珪素半導体装置のオーミック電極の製造方法

発明者：
呂 民雅

呂 民雅 について

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仲俣 伸一

仲俣 伸一 について

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木下 明将

木下 明将 について

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福田 憲司

福田 憲司 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (2件)： 内野 春喜 ,  内野 雅子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-087726
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219150
出願日： 2012年04月06日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：
【課題】 本発明は、膜厚が均一で剥離がなく、かつターゲットの使用効率を向上させることができる炭化珪素半導体装置のオーミック電極の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 ニッケルと、ニッケルの透磁率を低減させるとともに炭化物を生成する金属とが、所定の組成比に調整された混合体あるいは合金からなるターゲットをスパッタすることにより、炭化珪素基板上にオーミック金属膜を形成する工程と、前記金属膜に熱処理を施し焼成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置のオーミック電極の製造方法。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
ニッケルと、ニッケルの透磁率を低減させるとともに炭化物を生成する金属とが、所定の組成比に調整された混合体あるいは合金からなるターゲットをスパッタすることにより、炭化珪素基板上にオーミック金属膜を形成する工程と、前記金属膜に熱処理を施し焼成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置のオーミック電極の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L21/28 301S ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/285 S ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 658F
Fターム (22件)：
4M104AA03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD07 ,  4M104DD34 ,  4M104DD40 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH08 ,  4M104HH12 ,  4M104HH15
引用特許：
審査官引用 (9件)
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