特許
J-GLOBAL ID：201303047860255744
半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-105975
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201447
特許番号：特許第5312708号
出願日： 2013年05月20日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板の上方にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に、表面に対して垂直な方向に沿うようにc軸が配向した第1の酸化物半導体層を形成する工程と、
前記基板に熱を加えた状態で成膜を行うことにより、前記第1の酸化物半導体層上に結晶性を有する第2の酸化物半導体層を形成する工程と、を有し、
前記第1の酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記第2の酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記第1の酸化物半導体層は、InとGaとZnとを有し、
前記第2の酸化物半導体層は、InとGaとZnとを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 Z
