特許
J-GLOBAL ID：201303047990364588

半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置並びに記録媒体

発明者：
山崎 裕久

山崎 裕久 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-039089
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229575
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】高誘電率膜(High-k膜)を効率的に除去する。【解決手段】処理室内に有機化合物を含む処理ガスを供給して、基板に所定の膜を形成する成膜工程と、前記基板を前記処理室内から搬出した状態で、前記処理室内に第1のクリーニングガスを供給して、前記処理室を構成する反応管の内壁および前記処理室内に配置される部材に付着した膜を除去する第1のクリーニング工程と、前記処理室内に改質ガスを供給して、前記第1のクリーニング工程を行った後に前記反応管の内壁および前記処理室内に配置される部材に残留した膜を改質する改質工程と、前記処理室内に第2のクリーニングガスを供給して、前記改質工程で改質された膜を除去する第2のクリーニング工程と、を有する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
処理室内に有機化合物を含む処理ガスを供給して、基板に所定の膜を形成する成膜工程と、 前記基板を前記処理室内から搬出した状態で、前記処理室内に第1のクリーニングガスを供給して、前記処理室を構成する反応管の内壁および前記処理室内に配置される部材に付着した膜を除去する第1のクリーニング工程と、 前記処理室内に改質ガスを供給して、前記第1のクリーニング工程を行った後に前記反応管の内壁および前記処理室内に配置される部材に残留した膜を改質する改質工程と、 前記処理室内に第2のクリーニングガスを供給して、前記改質工程で改質された膜を除去する第2のクリーニング工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 J
Fターム (25件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19
引用特許：
審査官引用 (6件)
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