特許
J-GLOBAL ID：201303048306163672
β-Ga2O3系単結晶の成長方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-249891
公開番号（公開出願番号）：特開2013-103864
出願日： 2011年11月15日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：
【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ-Ga2O3系単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法を用いたβ-Ga2O3系単結晶25の成長方法であって、種結晶20をGa2O3系融液に接触させる工程と、種結晶20を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ-Ga2O3系単結晶25を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ-Ga2O3系単結晶25の幅が種結晶20の幅の110%以下とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
EFG法を用いたβ-Ga2O3系単結晶の成長方法であって、
種結晶をGa2O3系融液に接触させる工程と、
前記種結晶を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ-Ga2O3系単結晶を成長させる工程と、
を含み、
すべての方向において前記β-Ga2O3系単結晶の幅が前記種結晶の幅の110%以下である、
β-Ga2O3系単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BB10
, 4G077CF02
, 4G077EH04
, 4G077HA12
, 4G077PK00
